11 сентября отметил юбилей известный специалист в области современных численных методов расчетов электронных свойств твердых тел, прежде всего реальных сильно коррелированных систем, член-корреспондент РАН Игорь Александрович Некрасов. Сегодня он главный научный сотрудник РФЯЦ-ВНИИТФ им. академика Е.И. Забабахина и главный научный сотрудник лаборатории теоретической физики Института электрофизики УрО РАН.
Еще студентом второго курса физико-технического факультета Уральского политехнического института (ныне Уральский федеральный университет) Игорь Некрасов начал научную работу в отраслевой научно-исследовательской лаборатории квантовой магнитометрии под руководством доктора физико-математических наук В.А. Сапунова. На четвертом курсе продолжил исследования в лаборатории рентгеновской спектроскопии Института физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, в группе доктора физико-математических наук В.И. Анисимова. Окончив УГТУ-УПИ с отличием, поступил в аспирантуру, под руководством В.И. Анисимова досрочно защитил кандидатскую диссертацию и поступил на работу в лабораторию оптики металлов ИФМ УрО РАН в качестве научного сотрудника. В 2005 г. перешел в лабораторию теоретической физики Института электрофизики УрО РАН к академику М.В. Садовскому, в 2014-м защитил докторскую диссертацию, в 2015-м избран профессором РАН, в 2016-м — членом-корреспондентом РАН по Отделению физических наук.
И.А. Некрасов — автор и соавтор более 130 научных публикаций в ведущих отечественных и зарубежных журналах, в том числе трех обзоров. Ученый провел серию пионерских LDA+DMFT расчетов электронных свойств реальных сильно коррелированных систем, превративших LDA+DMFT подход в основной современный метод численного моделирования свойств таких систем. Он разработал и численно реализовал обобщенный DMFT+Sigma подход, позволивший включить различные «внешние» к модели Хаббарда взаимодействия (эффекты пространственных корреляций, эффекты беспорядка, электрон-фононное взаимодействие и т.д.) в стандартные DMFT уравнения. Им развит LDA+DMFT+Sigma метод, в рамках которого проведены расчеты псевдощелевых эффектов в реальных высокотемпературных сверхпроводниках на основе оксидов меди.
И.А. Некрасов предсказал новый тип особенностей («кинков») в электронной дисперсии в сильно коррелированных системах, вызванных только эффектами межэлектронного взаимодействия. Он провел пионерские расчеты электронных спектров и поверхностей Ферми в широком классе новых высокотемпературных сверхпроводников на основе FeAs(Se), позволившие сформулировать стандартную модель электронного спектра таких систем.
Игорь Александрович Некрасов преподавал на кафедре теоретической физики УрГУ и Института естественных наук УрФУ, а также на кафедре электрофизики Физико-технического института УрФУ, руководил исследовательской работой студентов, дипломными работами бакалавров и магистров, был научным руководителем аспирантов, соруководителем кандидатской диссертации.
Член-корреспондент РАН И.А. Некрасов — активный популяризатор науки. Он читает научно-популярные и научно-мотивирующие лекции в школах, вузах и на других площадках. Особое значение Игорь Александрович придает совершенствованию школьного образования в области естественных наук, формированию у школьников критического мышления, навыков работы с информацией. В Институте электрофизики УрО РАН совместно с Институтом бизнеса и информационных технологий он инициировал проект «Точка опоры», направленный на углубленное изучение физики и математики и последующую профессиональную ориентацию старшеклассников. Сейчас этот проект продолжают его молодые коллеги.
Член-корреспондент И.А. Некрасов — лауреат премии им. С.В. Вонсовского для молодых ученых, дважды — премии им. И.М. Цидильковского УрО РАН (для молодых и зрелых ученых), награжден премией МАИК за лучшую публикацию в журналах РАН, медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени, юбилейной медалью «300 лет Российской академии наук».
Горячо поздравляем Игоря Александровича с юбилеем!
Желаем новых успехов в научном творчестве, удачи во всех начинаниях!
Президиум Уральского отделения РАН
Коллектив Института электрофизики УрО РАН
Редакция газеты
«Наука Урала»